昆明理工大学朱焘获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211531246.2，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备是由朱焘;胡丹阳;祝星;李志山;唐浩瑞;张希尧;李天蕊设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，从下到上依次包括ITO导电玻璃层，聚[双4‑苯基2,4,6‑三甲基苯基胺]PTAA空穴传输层、CeCl3空穴修饰层、MAPbI2.91Br0.09钙钛矿层PVSK、9‑十八烯基碘化胺OAmI钙钛矿传输层、[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸异甲酯PCBM电子传输层、2,9‑二甲基‑4,7‑联苯‑1,10‑邻二氮杂菲BCP空穴阻挡层和金属Ag电极层。本方案通过稀土离子修饰空穴传输层，从而调控钙钛矿薄膜的生长，其具有改善薄膜质量、增强结晶度、抑制载流子的复合、缩短空穴的提取时间和高稳定性等优势。
本发明授权稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备在权利要求书中公布了：1.一种稀土离子修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，从下到上依次包括ITO导电玻璃层，聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]PTAA空穴传输层、CeCl3空穴修饰层、MAPbI2.91Br0.09钙钛矿层PVSK、9-十八烯基碘化胺OAmI钙钛矿传输层、[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯PCBM电子传输层、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲BCP空穴阻挡层和金属Ag电极层。
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