中国船舶集团有限公司第七二三研究所费新星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国船舶集团有限公司第七二三研究所申请的专利一种三维异质异构集成射频微系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115910986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211568466.2,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权一种三维异质异构集成射频微系统是由费新星;王勇;王海江;韦炜;孙彪;邢君设计研发完成,并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维异质异构集成射频微系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种三维异质异构集成射频微系统,该系统包括硅基封装层和高低温共烧陶瓷封装层;低功率射频芯片放置在硅基转接层上,通过硅基转接层顶部重布线层和硅基封装键合线完成射频信号、电源信号和控制信号的连接;大功率射频芯片放置在高低温共烧陶瓷基座上,通过高低温共烧陶瓷封装键合线和高低温共烧陶瓷基座完成射频信号、电源信号和控制信号的连接。本发明采用硅基封装技术与高低温共烧陶瓷技术相结合方式,实现多芯片堆叠完成系统三维封装,这种异质异构集成方式可以根据封装材料特性和芯片材料特性,综合考虑两者的射频性能以及物理性能充分优化封装内部芯片布局,在缩小射频微系统体积的同时,提高了系统的可靠性。
本发明授权一种三维异质异构集成射频微系统在权利要求书中公布了:1.一种三维异质异构集成射频微系统,其特征在于,包括硅基封装层120和高低温共烧陶瓷封装层121; 所述硅基封装层120包括顺次设置的焊球101、硅基盖层顶部重布线层102、硅基盖层绝缘层103、硅基盖层104、硅基盖层硅通孔105、硅基腔体106、低功率射频芯片107、硅基封装键合线108、硅基转接层顶部重布线层109、硅基转接层110、硅基转接层硅通孔111和硅基转接层底部重布线层112; 所述高低温共烧陶瓷封装层121包括顺次设置的异质层间焊球113、高低温共烧陶瓷盖板114、高低温共烧陶瓷腔体115、高低温共烧陶瓷垂直通孔116、大功率射频芯片117、高低温共烧陶瓷封装键合线118和高低温共烧陶瓷基座119; 所述低功率射频芯片107放置在硅基转接层110上,通过硅基转接层顶部重布线层109和硅基封装键合线108完成射频信号、电源信号和控制信号的连接;所述大功率射频芯片117放置在高低温共烧陶瓷基座119上,通过高低温共烧陶瓷封装键合线118和高低温共烧陶瓷基座119完成射频信号、电源信号和控制信号的连接。
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