武汉大学肖湘衡获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211668435.4，技术领域涉及：H01L21/426；该发明授权一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法是由肖湘衡;康雨凡;李文庆;蒋昌忠设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法在说明书摘要公布了：本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p‑n同质结的方法。机械剥离得到少层二维材料，旋涂PMMA覆盖材料作为掩模层。利用电子束曝光和显影，暴露二维材料的选定区域，未暴露区域仍由PMMA覆盖。使用低能离子注入技术将掺杂离子注入到暴露的二维材料中，丙酮处理后获得横向p‑n同质结。快速热退火处理以修复注入带来的晶格损伤并激活掺杂离子。本发明通过低能离子注入对少层二维材料进行空间选区掺杂，成功实现对二维材料导电类型的调控，使其导电类型反转，并以此构建了二维横向p‑n同质结，此方法掺杂浓度和深度可控、掺杂面积均匀、掺杂过程无污染、掺杂元素种类丰富，为二维半导体空间选区掺杂改性提供了一条有效途径。
本发明授权一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1通过机械剥离的方法剥离得到少层二维材料；所述少层二维材料为二维过渡金属硫族化合物； 2在少层二维材料表面旋涂掩模层； 3暴露少层二维材料的选定区域，未暴露区域仍由掩模层覆盖； 4使用低能离子注入技术将掺杂离子有效地注入并停留在暴露的少层二维材料中，以实现导电类型反型； 5去除掩模层，获得二维无缝横向p-n同质结； 6快速热退火处理以修复由低能离子注入带来的晶格损伤并激活掺杂离子，退火温度为400℃。
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