上海鼎泰匠芯科技有限公司梁玲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211498905.7，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的制备方法是由梁玲;李明;邵克坚;李佳俊;曾明鑫设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底内形成有沟槽；于沟槽的底部和侧壁形成栅介质材料层，并于沟槽内形成栅极材料层；同步刻蚀栅介质材料层以及栅极材料层，以得到位于沟槽的底部和侧壁的栅介质层及位于沟槽内且顶面为弧形面的屏蔽栅极；屏蔽栅极的顶面低于沟槽的顶面，栅介质层的顶面低于屏蔽栅极的顶面。采用本方法能够确保形成的SGTMOSFET的可靠性。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内形成有沟槽； 于所述沟槽的底部和侧壁形成栅介质材料层，并于所述沟槽内形成栅极材料层； 采用干法刻蚀工艺对所述栅介质材料层以及所述栅极材料层进行第一次同步刻蚀，所述第一次同步刻蚀过程中，所述栅介质材料层的刻蚀去除速率与所述栅极材料层的刻蚀去除速率相同； 采用干法刻蚀工艺对第一次同步刻蚀后的所述栅介质材料层及所述栅极材料层进行第二次同步刻蚀，所述第二次同步刻蚀过程中，所述栅介质材料层的刻蚀去除速率大于所述栅极材料层的刻蚀去除速率，以将第一次同步刻蚀后的所述栅极材料层的顶面修正为弧形面而得到屏蔽栅极，并得到栅介质层；所述屏蔽栅极的顶面低于所述沟槽的顶面，所述栅介质层的顶面低于所述屏蔽栅极的顶面。
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