买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT及其工作和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115770720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211527622.0，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT及其工作和制备方法是由李支康;李梓璇;赵立波;马琦;石璇;秦韶辉;罗国希;袁佳炜;杨萍;王小章;蒋庄德设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT及其工作和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT及其工作和制备方法，PMUT自上而下包括圆形多层复合薄膜、绝缘层、上基底、键合层和下基底。多层复合薄膜包括上压电层、下压电层、上电极层、中电极层和下电极层多层复合薄膜上具有同心的环形凹槽，并覆盖整个空腔的区域。本发明在有效降低PMUT单元间串扰、减小薄膜应力的同时实现薄膜内压电驱动弯矩的大幅增加，进而实现超声发射和接收性能提升，以满足小管径流量检测应用对低功耗、高性能超声换能器的迫切需求。

本发明授权一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT及其工作和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有隔离凹槽低应力双压电层结构的PMUT，其特征在于，包括第一换能器单元和第二换能单元，第一换能器单元和第二换能单元结构相同； 第一换能器单元和第二换能单元均包括多层复合薄膜1、绝缘层3、上基底4和下基底7，绝缘层3、上基底4和下基底7依次堆叠设置，上基底4中开设有圆形空腔5，多层复合薄膜1设置于绝缘层3上且位于圆形空腔5上方部分的形状为圆形； 第一换能器单元和第二换能单元公用绝缘层3、上基底4和下基底7，第一换能器单元和第二换能单元的多层复合薄膜1位于圆形空腔5上方部分的外周均设有环形凹槽2，环形凹槽2从多层复合薄膜1的表面延伸至绝缘层3的表面； 多层复合薄膜1中位于圆形空腔5上方的部分包括上压电层1-2-1、下压电层1-2-2、顶电极1-1、中电极1-3和底电极1-4，底电极1-4设置于绝缘层3表面，下压电层1-2-2设置于底电极1-4表面，中电极1-3设置于下压电层1-2-2表面，上压电层1-2-1设置于中电极1-3表面，中电极1-3包括圆形的中内电极1-3-1以及环形的并位于中内电极1-3-1外围的中外电极1-3-2，中内电极1-3-1的外缘和中外电极1-3-2的内缘之间具有间隙，顶电极1-1设置于上压电层1-2-1表面； 通过调整圆形空腔5内的真空度，形成向下的真空吸力，与向上的薄膜加工应力达到平衡； 上压电层1-2-1和下压电层1-2-2采用氮化铝压电材料，绝缘层3和键合层6采用二氧化硅材料，所述上基底4和下基底7采用硅材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。