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龙图腾网获悉重庆吉芯科技有限公司申请的专利带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115756053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211449639.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带隙基准电路是由陈思良;刘璐;杜宇彬;胡云;朱璨;付东兵;王健安;陈光炳设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种带隙基准电路，所述带隙基准电路包括反馈型启动与偏置模块、负温度系数电流产生模块、正温度系数电流产生模块及基准电压输出模块，正温度系数电流产生模块产生的正温度系数电流包括温度的一次项和高次项，产生负温度系数电流的负温度系数电流产生模块包括温度的一次项和高次项，正温度系数电流中温度的一次项与负温度系数电流产生模块中温度的一次项相互抵消，正温度系数电流中温度的高次项与负温度系数电流产生模块中温度的高次项相互抵消，对基准电压输出模块输出的带隙基准电压进行一阶温度补偿和高阶温度补偿，有效降低了带隙基准电压的温度漂移；通过基极电流补偿模块引入补偿电流，对电路中的至少部分三极管进行电流自补偿。

本发明授权带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括： 反馈型启动与偏置模块，产生第一偏置电压、第二偏置电压及第三偏置电压； 负温度系数电流产生模块，接所述反馈型启动与偏置模块，在所述第三偏置电压及第四偏置电压的作用下产生负温度系数电流； 正温度系数电流产生模块，接所述反馈型启动与偏置模块、所述负温度系数电流产生模块，产生所述第四偏置电压，在所述第一偏置电压、所述第二偏置电压、所述第三偏置电压及所述第四偏置电压的作用下，结合所述负温度系数电流产生正温度系数电流； 基准电压输出模块，接所述反馈型启动与偏置模块、所述负温度系数电流产生模块及所述正温度系数电流产生模块，在所述第三偏置电压及所述第四偏置电压的作用下，结合所述正温度系数电流与所述负温度系数电流产生模块产生带隙基准电压； 其中，所述正温度系数电流包括温度的一次项和高次项，所述负温度系数电流产生模块包括温度的一次项和高次项，所述正温度系数电流中温度的一次项与所述负温度系数电流产生模块中温度的一次项相互抵消，所述正温度系数电流中温度的高次项与所述负温度系数电流产生模块中温度的高次项相互抵消，对所述带隙基准电压进行一阶温度补偿和高阶温度补偿； 所述反馈型启动与偏置模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第一电阻，所述第一PMOS管的栅极接所述第四偏置电压，所述第一PMOS管的源极接工作电压，所述第一PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的栅极接所述第三偏置电压，所述第二PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极并输出所述第一偏置电压，所述第一NMOS管的源极接地，所述第三PMOS管的源极接所述工作电压，所述第三PMOS管的栅极接地，所述第三PMOS管的漏极接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极接使能信号，所述第二NMOS管的源极接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极输出所述第二偏置电压，所述第三NMOS管的栅极接所述第一偏置电压，所述第四PMOS管的源极接所述工作电压，所述第四PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极并输出所述第三偏置电压，所述第四PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的源极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五PMOS管的源极接所述工作电压，所述第五PMOS管的漏极接所述第六PMOS管的源极，所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极经串接的所述第一电阻后接地； 所述负温度系数电流产生模块包括第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一PNP三极管及第二电阻，所述第七PMOS管的源极接所述工作电压，所述第七PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的漏极接所述第八PMOS管的源极，所述第八PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极，所述第八PMOS管的漏极还接所述第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极经串接的所述第二电阻后接地，所述第九PMOS管的源极接所述工作电压，所述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极，所述第九PMOS管的漏极接所述第十PMOS管的源极，所述第十PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极，所述第十PMOS管的漏极接所述第七NMOS管的漏极，所述第七NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极，所述第七NMOS管的栅极还接所述第七NMOS管的漏极，所述第七NMOS管的源极接所述第一PNP三极管的发射极，所述第一PNP三极管的基极接所述第一PNP三极管的集电极，所述第一PNP三极管的集电极接地，其中，所述第六NMOS管的源极输出所述负温度系数电流； 所述正温度系数电流产生模块包括第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第五PNP三极管、第三电阻、运算放大器及正温度系数修调单元，所述第十一PMOS管的源极接所述工作电压，所述第十一PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第十一PMOS管的漏极接所述第十二PMOS管的源极，所述第十二PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极，所述第十二PMOS管的漏极接所述正温度系数修调单元的第一输入端，所述第十三PMOS管的源极接所述工作电压，所述第十三PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极，所述第十三PMOS管的漏极接所述第十四PMOS管的源极，所述第十四PMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极，所述第十四PMOS管的漏极接所述正温度系数修调单元的第二输入端，所述第十四PMOS管的漏极还接所述第二PNP三极管的发射极，所述第二PNP三极管的基极接所述第二PNP三极管的集电极，所述第二PNP三极管的集电极接地，所述第十五PMOS管的源极接所述工作电压，所述第十五PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极，所述第十五PMOS管的漏极接所述第十六PMOS管的源极，所述第十六PMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极，所述第十六PMOS管的漏极接所述正温度系数修调单元的第三输入端，所述第十六PMOS管的漏极还接所述第三PNP三极管的发射极，所述第三PNP三极管的基极接所述第三PNP三极管的集电极，所述第三PNP三极管的集电极接地，所述第十七PMOS管的源极接所述工作电压，所述第十七PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第十七PMOS管的漏极接所述第十八PMOS管的源极，所述第十八PMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极，所述第十八PMOS管的漏极接所述运算放大器的同相输入端，所述第十八PMOS管的漏极还经串接的所述第三电阻后接所述第四PNP三极管的发射极，所述第四PNP三极管的基极接所述第二PNP三极管的发射极，所述第四PNP三极管的集电极接地，所述第十九PMOS管的源极接所述工作电压，所述第十九PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第十九PMOS管的漏极接所述第二十PMOS管的源极，所述第二十PMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极，所述第二十PMOS管的漏极接所述运算放大器的反相输入端，所述运算放大器的输出端接所述第一PMOS管的栅极，所述第二十PMOS管的漏极还接所述第五PNP三极管的发射极，所述第五PNP三极管的基极接所述第三PNP三极管的发射极，所述第五PNP三极管的集电极接地，其中，所述第十八PMOS管的漏极输出所述正温度系数电流。

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