力晶积成电子制造股份有限公司王子嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111058786.9，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权存储器结构是由王子嵩设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器结构，包括基底以及多个存储单元。多个存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括第一导体层、第一栅极、第二栅极、第二导体层、沟道层与第一电荷存储层。第一导体层、第一栅极、第二栅极与第二导体层依序堆叠。第一导体层与第一栅极彼此电性绝缘。第一栅极与第二栅极彼此电性绝缘。第二栅极与第二导体层彼此电性绝缘。沟道层位于第一导体层的一侧、第一栅极的一侧、第二栅极的一侧与第二导体层的一侧。第一栅极与第二栅极电性绝缘于沟道层。第一导体层与第二导体层电连接于沟道层。第一电荷存储层位于第一栅极与沟道层之间。
本发明授权存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，包括： 基底；以及 多个存储单元，堆叠设置在所述基底上，其中每个所述存储单元包括： 依序堆叠的第一导体层、第一栅极、第二栅极与第二导体层，所述第一导体层与第一栅极彼此电性绝缘，所述第一栅极与所述第二栅极彼此电性绝缘，且所述第二栅极与第二导体层彼此电性绝缘； 沟道层，位于所述第一导体层的一侧、所述第一栅极的一侧、所述第二栅极的一侧与所述第二导体层的一侧，其中所述第一栅极与所述第二栅极电性绝缘于所述沟道层，且所述第一导体层与所述第二导体层电连接于所述沟道层；以及 第一电荷存储层，位于所述第一栅极与所述沟道层之间。
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