意法半导体(克洛尔2)公司L·法韦内克获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115633508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210763370.5，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器是由L·法韦内克;F·皮亚扎设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器在说明书摘要公布了：公开了一种相变存储器。一种用于制造相变存储器的方法，包括形成相变存储器单元阵列的步骤，每个单元与阵列的同一行中的相邻单元间隔相同的第一距离并与阵列的同一列中的相邻单元间隔相同的第一距离。该方法还包括在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元，其中N至少等于2。
本发明授权相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种用于制造相变存储器的方法，包括： 形成相变存储器单元的阵列，每个单元与所述阵列的同一行中的相邻单元以及与所述阵列的同一列中的相邻单元间隔第一距离；以及 在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元，其中N至少为2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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