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龙图腾网获悉云南农业大学申请的专利一种双可控可调谐偏振无关三波段吸收体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115629433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211508022.X，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种双可控可调谐偏振无关三波段吸收体是由胡宝晶;朱玲;赵金燕设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双可控可调谐偏振无关三波段吸收体在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双可调谐偏振无关三波段吸收体。属于超材料器件技术领域，所述的吸收体由顶部狄拉克半金属层和底部二氧化钒VO2层组成，中间介电层为二氧化硅SiO2。顶部混合体狄拉克半金属层由四个矩形纳米棒和一个十字纳米棒组成，四个矩形纳米棒和十字纳米棒的长度分别为和。所有纳米棒的宽度为，矩形纳米棒和十字纳米棒之间的距离为。模型的周期为。所有棒的宽度为。本发明对吸收体作为折射率传感器的应用潜力进行了评估。该研究为多波段双控可调传感器、滤波器和吸收器的设计提供了理论依据。

本发明授权一种双可控可调谐偏振无关三波段吸收体在权利要求书中公布了：1.一种双可控可调谐偏振无关三波段吸收体，所述吸收体由顶部混合体狄拉克半金属层和底部二氧化钒VO2层组成；中间介电层为二氧化硅SiO2，采用二氧化硅SiO2作为中间介电层，能够增大介质厚度实现多频段的吸收；所述各层从上而下依次按照混合体狄拉克半金属层、二氧化硅SiO2层、二氧化钒VO2层的顺序排列，且各层彼此紧密无缝贴合，形成一个结构体； 所述吸收体的等效电路模型可以对吸收体的物理特性进行理论上的分析，其特征在于： 入射波是X偏振波，只有纳米棒A、纳米棒C和十字纳米棒可以直接与入射波相互作用，纳米棒B和D没有响应，极化垂直于其长轴；顶部混合体狄拉克半金属层用三个相互平行排列的共振来建模；其中，一个共振代表十字纳米棒，其他两个共振代表矩形纳米棒A和C； X偏振波三波段吸收器的输入阻抗计算为： 1 其中, 分别代表三个并联谐振的阻抗；短路传输线的阻抗，其中，表示自由空间特性阻抗；和分别表示中间SiO2层的相对介电常数和厚度；表示自由空间的波数； 因此，X偏振波三波段吸收体的反射系数表示为： 2 最后，三波段吸收器的有效阻抗写成： 3 底部VO2层处于全金属状态，透射系数；同时，三波段吸收体的有效阻抗与真空的固有阻抗匹配，反射率将为零，吸收率接近1。

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