买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利制造碳化硅半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786074.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造碳化硅半导体器件的方法是由津间博基;岩桥洋平;植茶雅史设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造碳化硅半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括形成电极和形成栅极布线。所述电极形成为通过第一接触孔电连接到包括在半导体衬底中的基极层和杂质区。栅极布线形成为通过第二接触孔电连接到连接布线，并且由能够使氧化膜脱氧的材料制成。通过在栅极布线的形成中或在栅极布线的形成之后对栅极布线进行热处理，对连接布线上形成的氧化膜进行脱氧以将氧从氧化膜去除而进入栅极布线中以去除氧化膜。

本发明授权制造碳化硅半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，所述方法包括： 制备由碳化硅制成的半导体衬底，所述半导体衬底包括衬底、漂移层、基极层、和杂质区，所述衬底具有第一导电率或第二导电率，所述漂移层具有所述第一导电率并且形成在所述衬底上，所述基极层具有所述第二导电率并且形成在所述漂移层上，所述杂质区具有所述第一导电率并且形成在所述基极层的表面层部分处，所述半导体衬底的制备包括 在所述基极层的在所述漂移层与所述杂质区之间的部分处形成栅极绝缘膜， 在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，和 在所述半导体衬底的更靠近所述基极层的一侧的表面上方形成连接布线，所述连接布线连接到所述栅电极并且由多晶硅制成； 形成层间绝缘膜以覆盖所述基极层、所述杂质区、所述栅电极和所述连接布线； 在包含所述层间绝缘膜的第一区域处形成第一接触孔以暴露所述基极层和所述杂质区； 在包含所述层间绝缘膜的第二区域处形成第二接触孔以暴露所述连接布线； 通过热氧化在所述连接布线的从所述第二接触孔暴露的部分处形成氧化膜； 在所述半导体衬底的从所述第一接触孔暴露的部分处形成金属层；通过加热使所述金属层与所述半导体衬底反应，形成金属硅化物膜； 将未反应的金属层作为所述金属层的与所述金属硅化物膜不同的部分去除； 形成通过所述第一接触孔电连接到所述基极层和所述杂质区的电极；和 形成通过所述第二接触孔电连接到所述连接布线的栅极布线，所述栅极布线具有由能够使形成在所述连接布线上的所述氧化膜脱氧以从所述氧化膜中去除氧的材料制成的部分， 其中，在所述栅极布线的形成中或在所述栅极布线的形成之后，通过对所述栅极布线进行热处理使所述氧化膜脱氧以将氧从所述氧化膜去除而进入所述栅极布线中以去除所述氧化膜， 其中所述半导体衬底的制备还包括在所述栅电极的形成之后利用氮终止在所述半导体衬底与所述栅极绝缘膜之间的界面处的悬空键，并且 其中在所述氧化膜的形成中，所述氧化膜形成为具有10纳米或更小的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。