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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种单片异质集成光参量放大芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115586681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211218130.3，技术领域涉及：G02F1/39；该发明授权一种单片异质集成光参量放大芯片是由唐杰;钱广;顾晓文;王琛全;孔月婵;陈堂胜设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片异质集成光参量放大芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片异质集成光参量放大芯片，包括衬底、下包层、铌酸锂薄膜平板光波导、光参量放大传输光路层、上包层及泵浦激光器外延层，光参量放大传输光路层包括泵浦光耦合光波导、泵浦光传输光波导、信号光输入模斑转换器、信号光传输光波导、泵浦光信号光耦合器、周期极化铌酸锂薄膜光波导、信号光解复用器、信号光输出模斑转换器。本发明可在单一芯片上实现对输入信号光的放大，具有高度集成化、噪声低、增益高、插入损耗低的优点。

本发明授权一种单片异质集成光参量放大芯片在权利要求书中公布了：1.一种单片异质集成光参量放大芯片，其特征在于，包括：衬底1、下包层2、铌酸锂薄膜平板光波导3、光参量放大传输光路层4、上包层5、激光器键合层61、泵浦激光器外延层6； 所述光参量放大传输光路层4包括：信号光输入模斑转换器41、信号光传输光波导42、泵浦光耦合光波导43、泵浦光传输光波导44、泵浦光信号光耦合器45、周期极化铌酸锂薄膜光波导46、信号光解复用器47、信号光输出模斑转换器48； 所述衬底1、下包层2、铌酸锂薄膜平板光波导3、光参量放大传输光路层4和上包层5从下往上依次贴合而成；所述激光器键合层61贴合在所述光参量放大传输光路层4中泵浦光耦合光波导43上表面，所述泵浦激光器外延层6贴合在所述激光器键合层61的上面，并且所述泵浦激光器外延层6和激光器键合层61均完全覆盖所述泵浦光耦合光波导43的上表面；所述泵浦激光器外延层6的上表面高于或齐平于所述上包层5的上表面； 所述信号光输入模斑转换器41跟所述信号光传输光波导42的一端相连；所述泵浦光耦合光波导43跟所述泵浦光传输光波导44的一端相连；所述泵浦光传输光波导44的另一端和信号光传输光波导42的另一端分别与所述泵浦光信号光耦合器45的两个输入端口相连；所述周期极化铌酸锂薄膜光波导46的一端跟所述泵浦光信号光耦合器45的输出端口相连，周期极化铌酸锂薄膜光波导46的另一端跟所述信号光解复用器47的一端相连；所述信号光解复用器47的另一端和信号光输出模斑转换器48相连。

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