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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115580281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211328911.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片及控制方法是由王超杰;来晋明;王海龙;张文锋设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片及控制方法，包括衬底材料、GaNFET、端口传输线、匹配传输线、开路短截线、接地通孔等，FET1～FET16管胞是场效应管，用于实现开关端口切换；所述GaNFET管芯的漏极、源极、栅极表面金属层，用于将管芯栅极、源极、漏极通过欧姆接触引出相应电极与表面金属电路相连接；所述接地通孔用于实现GaNFET源极接地；所述端口传输线用于实现芯片内部电路的对外连接；所述匹配传输线均用于实现各端口的阻抗匹配，获得良好的芯片性能；所述开路短截线用于实现多功能开关芯片产生带内传输零点，实现相应频段的幅度抑制；控制信号为GaNFET栅极控制信号，用于实现相应FET通断状态的控制。具备低插损、小型化、高承受功率及低成本的优势。

本发明授权一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种频段可重构的高隔离低插损开关芯片，其特征在于，包括：衬底材料、GaNFET、端口传输线、匹配传输线和开路短截线；所述GaNFET包括FET1~FET16，衬底材料上集成设置FET1~FET16管胞； 芯片表面集成设置有端口传输线1~3，匹配传输线1-1，匹配传输线1-2，匹配传输线2-1，匹配传输线2-2，匹配传输线3，开路短截线1-1~开路短截线1-4，开路短截线2-1~开路短截线2-4和接地通孔； 端口传输线3的一端为开关公共射频端口RFc，另一端连接匹配传输线3的一端，匹配传输线3另一端分别和匹配传输线1-2的一端和匹配传输线2-2的一端相连接； 匹配传输线1-2的另一端和匹配传输线1-1的一端相连，在匹配传输线1-1和匹配传输线1-2之间并联FET6和FET7；FET6与FET5相连，FET5与接地通孔连接，在FET6和FET5之间并联开路短截线1-2；FET7与FET8相连，FET8与接地通孔连接，在FET7和FET8之间并联开路短截线1-4； 匹配传输线1-1的另一端和端口传输线1的一端相连，端口传输线1的另一端为射频端口RF1，在匹配传输线1-1和端口传输线1之间并联FET2和FET3；FET2与FET1相连，FET1与接地通孔连接，在FET2和FET1之间并联开路短截线1-1；FET3与FET4相连，FET4与接地通孔连接，在FET3和FET4之间并联开路短截线1-3； 匹配传输线2-2的另一端和匹配传输线2-1的一端相连，在匹配传输线2-2和匹配传输线2-1之间并联FET10和FET11；FET10与FET9相连，FET9与接地通孔连接，在FET10和FET9之间并联开路短截线2-3；FET11与FET12相连，FET12与接地通孔连接，在FET11和FET12之间并联开路短截线2-4； 匹配传输线2-1的另一端和端口传输线2的一端相连，端口传输线2的另一端为射频端口RF2，在匹配传输线2-1和端口传输线2之间并联FET14和FET15，FET14与FET13相连，FET13与接地通孔连接，在FET14和FET13之间并联开路短截线2-1；FET15与FET16相连接，FET16与接地通孔连接，在FET15和FET16之间并联开路短截线2-2； FET1、FET4、FET5、FET8与控制信号Vg1-1相连；FET2、FET3、FET6、FET7与控制信号Vg1-2相连；FET9、FET12、FET13、FET16与控制信号Vg2-1相连；FET10、FET11、FET14、FET15与控制信号Vg2-2相连； FET6的漏极D分别与匹配传输线1-1和匹配传输线1-2相连，FET6的源极与FET5的漏极相连接，FET5的源极与接地通孔连接；FET7的漏极D分别与匹配传输线1-1和匹配传输线1-2相连，FET7的源极与FET8的漏极相连接，FET8的源极与接地通孔连接； FET2的漏极D分别与匹配传输线1-1和端口传输线1相连，FET2的源极与FET1的漏极相连接，FET1的源极与接地通孔连接；FET3的漏极D分别与匹配传输线1-1和端口传输线1相连，FET3的源极与FET4的漏极相连接，FET4的源极与接地通孔连接； FET10的漏极D分别与匹配传输线2-2和匹配传输线2-1相连，FET10的源极与FET9的漏极相连接，FET9的源极与接地通孔连接；FET11的漏极D分别与匹配传输线2-2和匹配传输线2-1相连，FET11的源极与FET12的漏极相连接，FET12的源极与接地通孔连接； FET14的漏极D分别与匹配传输线2-1和端口传输线2相连，FET14的源极与FET13的漏极相连接，FET13的源极与接地通孔连接；FET15的漏极D分别与匹配传输线2-1和端口传输线2相连，FET15的源极与FET16的漏极相连接，FET16的源极与接地通孔连接； FET1、FET4、FET5、FET8的栅极接入控制信号Vg1-1；FET2、FET3、FET6、FET7的栅极接入控制信号Vg1-2；FET9、FET12、FET13、FET16的栅极接入控制信号Vg2-1；FET10、FET11、FET14、FET15的栅极接入控制信号Vg2-2。

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