南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有接触点结构的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210219967.3，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权具有接触点结构的半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有接触点结构的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有接触点结构的半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一源极漏极结构，设置在一半导体基底上；以及一介电层，设置在该源极漏极结构上。该半导体元件亦具有一多晶硅堆叠，设置在该源极漏极结构上，并被该介电层所围绕。该多晶硅堆叠具有一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层，该第二多晶硅层设置在该第一多晶硅层上。该第一多晶硅层为未掺杂，且该第二多晶硅层为已掺杂。该半导体元件还具有一接触点结构，直接设置在该多晶硅堆叠上并被该介电层所围绕。
本发明授权具有接触点结构的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一源极漏极结构，设置在一半导体基底上； 一介电层，设置在该源极漏极结构上； 一多晶硅堆叠，设置在该源极漏极结构上并被该介电层所围绕，其中该多晶硅堆叠包括一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层，该第二多晶硅层设置在该第一多晶硅层上，该第一多晶硅层为未掺杂，该第二多晶硅层为已掺杂；以及 一接触点结构，直接设置在该多晶硅堆叠上并被该介电层所围绕， 其中该多晶硅堆叠还包括：一第三多晶硅层，设置在该第二多晶硅层上，其中该第三多晶硅层为未掺杂；以及一第四多晶硅层，设置在该第三多晶硅层上，其中该第四多晶硅层为已掺杂， 其中该第二多晶硅层的一掺杂浓度大于该第四多晶硅层的一掺杂浓度。
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