买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168958.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管是由张金平;李小锋;兰逸飞;张波设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过在分裂多晶硅栅11与浮空P区13之间串联一个二极管，二极管阴极与分裂多晶硅栅11连接，二极管阳极与浮空P区13连接，分裂栅11与发射极金属1之间串联一个电容，浮空P区13通过有源区钳位在IGBT关断时获得了一个较高的电位，该电位使得二极管开启，从而对电容进行充电，使得电容获得一个稳定的电位。而分裂栅11与电容相连，故分裂栅也具有一个稳定的电位，该电位吸引分裂栅附近的电子积累形成电子积累层，该积累层提高了沟道的注入效率，进一步提升了漂移区电导调制效应，降低了器件的正向导通压降。

本发明授权一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，其元胞结构包括：集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8、N-漂移区7、P型基区4、N+发射区3、发射极欧姆接触P+区2、浮空P区13、肖特基二极管金属层14、场氧化层15、集成电容、沟槽发射极结构、分裂栅结构与发射极金属1；集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8和N-漂移区7由下至上依次层叠设置； 所述分裂栅结构位于所述N-漂移区7的顶层一侧，所述浮空P区13位于所述N-漂移区7的顶层另一侧，所述沟槽发射极结构位于所述分裂栅结构和所述浮空P区13之间的所述N-漂移区7的顶层，所述P型基区4位于所述沟槽发射极结构和所述分裂栅结构之间的所述N-漂移区7的顶层，所述N+发射区3和所述发射极欧姆接触P+区2侧面相互接触的位于所述P型基区4的顶层，所述发射极金属1位于所述N+发射区3和所述发射极欧姆接触P+区2上；所述浮空P区13远离所述沟槽发射极结构的一侧上具有肖特基二极管金属层14；所述肖特基二极管金属层14与分裂多晶硅栅11相连接；场氧化层15位于所述肖特基二极管金属层14与所述沟槽发射极结构之间的所述浮空P区13上； 所述集成电容包括集成电容多晶极板16、集成电容介质层17、集成电容金属极板18，所述集成电容多晶极板16位于所述沟槽发射极结构和所述场氧化层15上，所述集成电容介质层17位于所述集成电容多晶极板16上，且所述集成电容多晶极板16与所述肖特基二极管金属层14之间具有集成电容介质层17，所述集成电容金属极板18位于所述集成电容介质层17和所述肖特基二极管金属层14上； 所述沟槽发射极结构包括沟槽发射极12和位于其侧面和底部的沟槽氧化层6；所述分裂栅结构包括分裂多晶硅栅11和多晶硅栅5，所述多晶硅栅5位于所述分裂多晶硅栅11上，且分裂多晶硅栅11和多晶硅栅5之间具有沟槽氧化层6，分裂多晶硅栅11和多晶硅栅5与N-漂移区7、P型基区4和N+发射区3之间具有沟槽氧化层6。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。