南亚科技股份有限公司徐嘉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210219976.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体元件及其制备方法是由徐嘉祥设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有一互连部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一源极漏极结构，设置在一载体基底上；以及一后侧接触点，设置在该第一源极漏极结构上并电性连接到该第一源极漏极结构。该半导体元件亦具有一互连部，设置在该后侧接触点上。该互连部具有一下重分布层，电性连接到该后侧接触点；以及一上重分布层，设置在该下重分布层上。该互连部亦具有一互连框架，设置在该下重分布层与该上重分布层之间，并电性连接到该下重分布层与该上重分布层。该互连部还具有一钝化结构，围绕该互连框架设置。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一源极漏极结构，设置在一载体基底上； 一后侧接触点，设置在该第一源极漏极结构并电性连接到该第一源极漏极结构； 一互连部，设置在该后侧接触点上，其中该互连部包括： 一下重分布层，电性连接到该后侧接触点； 一上重分布层，设置在该下重分布层上； 一互连框架，设置在该下重分布层与该上重分布层之间，并电性连接到该下重分布层与该上重分布层；以及 一钝化结构，围绕该互连框架设置； 一第二源极漏极结构，设置在该互连部与该载体基底之间；以及 一前侧接触点，设置在该第二源极漏极结构与该载体基底之间，其中该第二源极漏极结构经由该前侧接触点而电性连接到该载体基底。
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