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清华大学郑纪元获国家专利权

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龙图腾网获悉清华大学申请的专利半导体光学非线性运算器件、调制方法及运算器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115469469B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211078145.4,技术领域涉及:G02F1/015;该发明授权半导体光学非线性运算器件、调制方法及运算器是由郑纪元;邓辰辰;王钰言;林珠;方璐;吴嘉敏;范静涛;戴琼海设计研发完成,并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体光学非线性运算器件、调制方法及运算器在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体光学芯片技术领域,特别涉及一种半导体光学非线性运算器件、调制方法及运算器,其中,包括:波导、P型半导体与N型半导体,其中,P型半导体与N型半导体分别掺杂在波导的两侧,形成PN结,其中,当施加在PN结上的反偏电压值大于预设阈值时,使得波导处于雪崩临界状态,波导吸收入射光产生光电流触发雪崩,在波导中产生等离子体,并基于等离子体色散效应或热效应等非线性效应改变波导的折射率,实现光强度的非线性调制。由此,解决了相关技术中非线性系数不高、可扩展性不强、功耗高、应用范围小以及弱光非线性不强等问题。

本发明授权半导体光学非线性运算器件、调制方法及运算器在权利要求书中公布了:1.一种半导体光学非线性运算器件,其特征在于,包括:波导、P型半导体与N型半导体,其中,所述P型半导体与所述N型半导体分别掺杂在所述波导的两侧,形成PN结,其中, 当施加在所述PN结上的反偏电压值大于预设阈值时,使得所述波导处于雪崩临界状态,所述波导吸收入射光产生光电流触发雪崩,在所述波导中产生等离子体,并基于等离子体色散效应或热效应改变所述波导的折射率,实现光强度的非线性调制; 所述波导为环形波导结构; 在基于等离子体色散效应或热效应改变所述波导的折射率时,使得微环振荡器的共振波长发生平移,并在共振峰附近预设波长的光强度的改变程度大于预设程度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人清华大学,其通讯地址为:100084 北京市海淀区清华园1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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