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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210271020.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法是由朱家铎;尚蔚;许晟瑞;张雅超;张金风;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法，使用MOCVD工艺在AlN插入层3上以10个AlScN双层为周期通过调整ScN层和AlN层组合顺序或和各自层数生长ScN层和AlN层，形成具有不同极化强度或和不同组分的ScAlN数字合金势垒层4，本发明通过调整ScN层和AlN层组合顺序以在ScAlNGaN异质结界面处产生不同浓度的二维电子气，以使得ScAlN材料在同组分下具有不同的极化强度；同时用过同质外延GaN沟道层的方式降低异质外延产生的位错等缺陷，减小漏电。

本发明授权基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT的制备方法，其特征在于，包括： 步骤一：获取GaN衬底1； 步骤二：使用MOCVD工艺在GaN衬底1上同质外延生长GaN沟道层2； 步骤三：使用MOCVD工艺在GaN沟道层2上淀积AlN插入层3； 步骤四：使用MOCVD工艺在AlN插入层3上以10个AlScN层为周期通过调整ScN层和AlN层组合顺序或和各自层数生长ScN层和AlN层，形成具有不同极化强度或和不同组分的ScAlN数字合金势垒层4； 其中，所述AlN层个数与ScN层个数的倍数决定ScAlN数字合金势垒层4中Sc组分大小，组合顺序中ScN层之间的距离决定ScAlN数字合金势垒层4的极化强度； 步骤五：使用MOCVD工艺在ScAlN数字合金势垒层4上生长GaN帽层5； 步骤六：使用ALD工艺在GaN帽层5上生长SiN钝化层6； 步骤七：在SiN钝化层6上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在SiN钝化层6上生长金属W作为栅电极10； 步骤八：在SiN钝化层6上制作掩膜，使用RIE干法刻蚀技术分别去除左右边缘向内的SiN钝化层6，并使用离子注入技术向去除SiN钝化层6的两个欧姆接触区域注入Si离子，形成源极欧姆接触7和漏极欧姆接触8； 步骤九：使用电子束蒸发技术在两个欧姆接触正上方分别淀积TiAlNiAu金属组合作为源极9和漏极11。

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