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龙图腾网获悉苏州固锝电子股份有限公司申请的专利低应力MEMS封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115432661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110584557.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权低应力MEMS封装结构及其封装方法是由郑志荣;吴炆皜;陈学峰;胡乃仁;孙长委设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本低应力MEMS封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低应力MEMS封装结构及其封装方法，包括平面载体、芯片、封装盖和保护膜，芯片固定设置于平面载体的一表面上，且芯片上的电极与平面载体上的引脚键合连接；封装盖罩设于芯片外、并同时与平面载体的一表面固定连接，且封装盖与平面载体一表面一起合围成的腔室还形成为真空状态；保护膜通过真空覆膜技术及高温压膜固化技术密封包裹于封装盖外，以确保该腔室保持真空状态。该低应力MEMS封装结构及其封装方法可有效克服因多种材料结合而产生的应力影响、以及有效避免外界湿度、压力等对产品稳定性造成影响，大大提升了MEMS封装结构的性能。

本发明授权低应力MEMS封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种低应力MEMS封装结构，其特征在于：包括平面载体1、芯片2、封装盖3和保护膜4，所述芯片2固定设置于所述平面载体1的一表面上，且所述芯片2上的电极与所述平面载体1上的引脚键合连接；所述封装盖3罩设于所述芯片2外、并同时与所述平面载体1的一表面固定连接，且所述封装盖3与所述平面载体1一表面一起合围成的腔室还形成为真空状态；所述保护膜4密封包裹于所述封装盖3外，以确保该腔室保持真空状态； 所述封装盖3为由金属材料制成的中空罩盖结构，所述中空罩盖结构的顶部封闭、底部开口，并在所述中空罩盖结构的侧立壁上开设有小孔30； 当所述中空罩盖结构罩设于所述芯片2外后，所述中空罩盖结构的底开口通过锡膏与所述平面载体1的一表面固定连接；并且当对该腔室抽真空时，该腔室内的空气经所述小孔30排出； 所述芯片2通过装片胶粘接固定于所述平面载体1的一表面上，并利用金丝球焊工艺将所述芯片2上的电极与所述平面载体1上的引脚键合连接； 所述保护膜4采用耐高温环氧膜，其通过真空覆膜技术及高温压膜固化技术密封包裹于所述封装盖3外； 所述高温压膜固化技术使得MEMS封装结构的厚度尺寸能够精准地减薄至设定尺寸。

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