苏州晶湛半导体有限公司刘凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110578692.8，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法是由刘凯设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法，GaN基复合衬底包括：隔离衬底、GaN基衬底，以及位于隔离衬底与GaN基衬底之间的键合层。本发明采用GaN基复合衬底取代GaN基材料衬底，复合衬底通过键合层将GaN基衬底与隔离衬底键合在一起，隔离衬底无沿厚度方向延伸的缺陷，可封堵化学腐蚀液通过GaN基衬底中的孔洞向下渗漏的路径，避免机台以及产线的污染，从而可获得质量较好的GaN基器件层，进而提高GaN基器件的良率。
本发明授权GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基复合衬底，其特征在于，包括：隔离衬底10、GaN基衬底11，以及位于所述隔离衬底10与所述GaN基衬底11之间的键合层12；所述键合层12的材料为金属铝、金属金、硅金合金、金锡合金，以及铜锡合金中的至少一种；所述隔离衬底10包括：第一隔离衬底101与第二隔离衬底102，所述第二隔离衬底102靠近所述键合层12；所述第一隔离衬底101的材料为单晶硅，第二隔离衬底102的材料为三氧化二铝，所述隔离衬底10用于阻止液体向下流动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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