武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利垂直结构的薄膜晶体管和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210980039.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权垂直结构的薄膜晶体管和电子器件是由李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟;罗成志设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构的薄膜晶体管和电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种垂直结构的薄膜晶体管和电子器件；该垂直结构的薄膜晶体管通过使第一掺杂部、沟道部和第二掺杂部叠层设置，可以实现极小沟道长度的多晶硅薄膜晶体管，并通过将第二掺杂部设置于绝缘层的过孔内，使第二掺杂部通过过孔与沟道部连接且部分接触，可以减小第二掺杂部与沟道部的接触面积，则减少了扩散至沟道区的离子，提高薄膜晶体管的器件稳定性，且减少了薄膜晶体管的投影面积，提高了显示面板的开口率，有利于开发高分辨率和高刷新率的产品、甚至实现部分芯片的功能。
本发明授权垂直结构的薄膜晶体管和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，包括： 绝缘衬底； 有源层，设置于所述绝缘衬底的一侧，所述有源层包括叠层设置的第一掺杂部、沟道部和第二掺杂部； 绝缘层，设置于所述沟道部远离所述第一掺杂部的一侧，所述绝缘层包括过孔； 其中，所述第二掺杂部设置于所述过孔内，所述第二掺杂部通过所述过孔与所述沟道部连接且部分接触； 所述过孔在所述绝缘衬底上的投影与所述沟道部在所述绝缘衬底上的投影存在重叠，所述第二掺杂部在所述绝缘衬底上的投影与所述沟道部在所述绝缘衬底上的投影存在重叠，所述第二掺杂部与所述沟道部在所述沟道部的表面进行接触；所述第二掺杂部与所述沟道部的接触面积小于所述沟道部的表面积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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