英诺赛科(苏州)半导体有限公司张铭宏获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体装置和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210964886.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置和其制造方法是由张铭宏;饶剑;张玉龙设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、欧姆接触以及间隔件。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。欧姆接触设置在所述第一氮化物半导体层上。间隔件与所述欧姆接触的侧壁相邻设置，其中所述欧姆接触的所述侧壁具有相对粗糙的表面。
本发明授权半导体装置和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 第一氮化物半导体层； 第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙； 欧姆接触，设置在所述第一氮化物半导体层上；以及 间隔件，与所述欧姆接触的侧壁相邻设置，其中所述欧姆接触的所述侧壁具有相对粗糙的表面； 第一钝化层，其设置在所述第二氮化物半导体层和所述间隔件之间，且所述欧姆接触的所述侧壁具有的相对粗糙的表面位在所述第一钝化层之上； 所述间隔件远离所述欧姆接触的侧壁的表面为光滑的凸面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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