西安电子科技大学苏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210949606.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法是由苏杰;林珍华;胡银辉;常晶晶;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法，主要解决现有技术中色心制备成本高、光学激发能高、应用受限的问题。方案包括：在氮化镓晶格中，利用镍原子取代一个镓原子和该镓原子最近邻的氮空位，原子排列呈现C3v对称，且C3v对称轴穿过镍原子和氮空位的中心，并与三个间距相等的镓原子所在平面相垂直；其制备方法是首先采用金属有机化学气相沉积法生长立方相氮化镓薄膜，然后对其进行离子注入，掺杂特定种类的镍离子并经高温退火修复晶格损伤后，通过电子辐照产生大量单个空位，随后再快速退火。本发明能够有效降低操作色心需要的光学激发能，减少色心制备成本，可广泛应用于测量、通信、仿真、高性能计算等领域。
本发明授权一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型的氮化镓镍氮空位色心的制备方法，其特征在于利用离子注入的方法，掺杂特定种类的镍离子并经高温退火修复晶格损伤后，通过电子辐照产生大量单个空位，随后再快速退火，完成制备；具体包括如下步骤： 1选用衬底并对其进行预处理，得到预处理后的平整衬底； 2在平整衬底上采用金属有机化学气相沉积法MOCVD生长非故意掺杂的外延层，即立方相氮化镓薄膜，厚度为2～5μm； 3对外延层进行离子注入： 将170keV镍离子注入到氮化镓薄膜中，注入剂量为1×1016cm-2，得到离子注入后的样品，并在氮气氛围下，对该样品进行800℃的快速退火； 4对步骤3得到的样品使用10MeV能量、5×1017cm-2剂量的电子辐照，并对电子辐照后的样品在氮气氛围下进行600～800℃的快速退火； 5完成氮化镓镍氮空位色心的制备过程，得到在n型掺杂的氮化镓中稳定存在的氮化镓镍氮空位色心。
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