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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利频率自适应LIF神经元及控制方法、模拟生物自适应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115329945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210828987.0，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权频率自适应LIF神经元及控制方法、模拟生物自适应的方法是由杨蕊;王昊伟;缪向水设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本频率自适应LIF神经元及控制方法、模拟生物自适应的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种频率自适应LIF神经元、神经元的频率自适应控制方法以及模拟生物自适应的方法，其神经元包括电阻RS、电阻Ro、阈值转变忆阻器和充电电容CM，电阻RS的第一端用于接收控制脉冲、第二端通过充电电容CM接地，阈值转变忆阻器的第一端与电阻RS的第二端连接、第二端通过电阻Ro接地且第二端输出发放脉冲；其中，阈值转变忆阻器的顶电极具有活性电极材料，阻变层具有空位，阈值转换忆阻器由低阻态到高阻态的关断阻态变化速度随着状态切换周期的增加而变慢、导致电容的充电速度也逐渐变缓，以使输出的发放脉冲的频率逐渐变小直至趋于稳定，从而模拟生物对环境刺激的自适应过程。

本发明授权频率自适应LIF神经元及控制方法、模拟生物自适应的方法在权利要求书中公布了：1.一种频率自适应LIF神经元电路，其特征在于，包括电阻、电阻、阈值转变忆阻器和充电电容，电阻的第一端用于接收控制脉冲、第二端通过充电电容接地，阈值转变忆阻器的第一端与所述电阻的第二端连接，阈值转变忆阻器的第二端通过电阻接地且第二端输出发放脉冲； 其中，所述阈值转变忆阻器包括阻变层以及分别位于阻变层两侧的底电极和顶电极，所述顶电极具有活性电极材料，所述阻变层具有空位，所述阈值转换忆阻器由低阻态到高阻态的关断阻态变化速度随着状态切换周期的增加而变慢，且所述阈值转换忆阻器的关断阻态变化速度随空位浓度的调节而改变，所述充电电容的充电速度随着所述阈值转换忆阻器的关断阻态变化速度的变慢而变缓，以使输出的发放脉冲的频率逐渐变小直至趋于稳定； 其中，所述阈值转变忆阻器的衬底采用硅衬底，底电极采用铂和钛构成的双层电极结构，铂厚度为20nm，钛厚度为10nm，其中钛与硅衬底接触作为粘附层，铂生长在钛上面；顶电极采用银和钛，银厚度为50nm，钛厚度为3nm，钛在下层与阻变层接触以作为阻挡层防止银离子过度注入，同时起到粘附银电极和阻变层的作用，银在钛上层；阻变层为氩等离子体处理的二维硒化镓薄片，厚度为5nm~10nm。

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