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龙图腾网获悉深圳陆巡科技有限公司申请的专利一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210833573.7，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路是由徐鹏华;吴文江;徐鑫;黎逸娟设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路在说明书摘要公布了：本发明一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路，特点是：包括驱动变压器T1，MOSFETQ1、MOSFETQ2，所述变压器T1将驱动地和功率地分开、通过电流互感的方式将驱动电路和功率回路独立开来，提升了抗干扰的能力。所述多个MOS并联的隔离驱动电路，包括电容C1、驱动变压器T1，通过电容C1和驱动变压器T1，在T1原边绕组上产生正负半周的驱动信号；驱动变压器的两个副边绕组，分别通过驱动电阻R1、R2接到MOSFETQ1和Q2的源极和栅极，所述通过电流互感的方式将驱动电路和功率回路独立开来，即通过电流互感的方式将驱动电流Ig1和Ig2的回路和功率电流Id1和Id2回路独立开来。本发明驱动简单，电源一致性好，电磁干扰小，容易满足安规隔离要求；方便在大功率拓展和多路输出场合下应用。

本发明授权一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种多个MOSFET并联的隔离驱动电路，其特点是：包括驱动变压器T1，MOSFETQ1、MOSFETQ2，所述变压器T1将驱动地和功率地分开、通过电流互感的方式将驱动电路和功率回路独立开来，提升了抗干扰的能力； 所述多个MOSFET并联的隔离驱动电路，包括电容C1、驱动变压器T1，通过电容C1和驱动变压器T1，在T1原边绕组上产生正负半周的驱动信号；驱动变压器的两个副边绕组，分别通过驱动电阻R1、R2接到MOSFETQ1和Q2的源极和栅极，所述通过电流互感的方式将驱动电路和功率回路独立开来，即通过电流互感的方式将驱动电流Ig1和Ig2的回路和功率电流Id1和Id2回路独立开来； 所述通过电流互感的方式将驱动电流Ig1和Ig2的回路和功率电流Id1和Id2回路独立开来，具体为：虽然Q1的接地点A和Q2的接地点B依然存在阻抗Rs，功率电流Id2仍旧在Rs上产生压降Us，由于驱动电路和功率回路各自独立，Q1和Q2的驱动电平没有受到Q1和Q2功率电路影响，提升了并联MOSFET的驱动抗干扰的能力。

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