松下知识产权经营株式会社町田真一获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180018530.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权摄像装置是由町田真一设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像装置在说明书摘要公布了：本公开的摄像装置具备：半导体基板；多个像素电极，其位于半导体基板的上方，分别与半导体基板电连接；对置电极，其位于多个像素电极的上方；第1光电转换层，其位于多个像素电极与对置电极之间；和至少1个第1遮光体，其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含半导体量子点和覆盖材料，所述半导体量子点将第1波长范围的光吸收，所述覆盖材料将半导体量子点覆盖，吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少1个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。
本发明授权摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，其具备： 半导体基板； 多个像素电极，其位于所述半导体基板的上方，分别与所述半导体基板电连接； 对置电极，其位于所述多个像素电极的上方； 第1光电转换层，其位于所述多个像素电极与所述对置电极之间；和 至少1个第1遮光体，其位于所述第1光电转换层内或所述第1光电转换层的上方， 所述第1光电转换层包含： 半导体量子点，其具有吸收第1波长范围的光的特性；和 覆盖材料，其将所述半导体量子点覆盖，具有吸收第2波长范围的光而发出第3波长范围的荧光的特性， 所述至少1个第1遮光体将所述第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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