美光科技公司V·莫斯基亚诺获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404464.3，技术领域涉及：G11C16/30；该发明授权用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证的方法和设备是由V·莫斯基亚诺;Y·董设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证的方法和设备在说明书摘要公布了：本申请涉及用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证。一种存储器装置包含存储器单元的存储器阵列。页缓冲器用于在编程验证操作期间将第一电压或高于所述第一电压的第二电压施加到位线。以操作方式与所述页缓冲器耦合的控制逻辑用于执行包含以下各项的操作：使得多个存储器单元以第一编程脉冲进行编程；测量所述存储器单元的阈值电压；根据经测量阈值电压形成阈值电压分布；基于所述阈值电压分布，将所述存储器单元的第一子集分类为具有比所述存储器单元的第二子集的快速电荷损失更快的快速电荷损失；及响应于所述分类，使得所述页缓冲器在对存储器单元的所述第一子集中的任一者执行的编程验证操作期间将所述第二电压施加到所述位线。
本发明授权用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列，其包括存储器单元； 页缓冲器，其耦合到所述存储器阵列的位线，其中所述页缓冲器用于在对所述存储器单元执行的编程验证操作期间向所述位线施加第一电压或高于所述第一电压的第二电压中的一者；及 以操作方式与所述页缓冲器耦合的控制逻辑，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作： 使得多个存储器单元以第一编程脉冲进行编程； 测量所述多个存储器单元中的每一者的阈值电压； 根据经测量阈值电压形成所述多个存储器单元的阈值电压分布； 使用所述阈值电压分布，将所述多个存储器单元的第一子集的第一快速电荷损失与所述多个存储器单元的第二子集的第二快速电荷损失进行比较； 基于所述比较，确定所述第一快速电荷损失比所述第二快速电荷损失更快；及 响应于所述确定，使得所述页缓冲器在对所述多个存储器单元的所述第一子集中的任一者执行的所述编程验证操作期间将所述第二电压施加到所述位线直到所述第一子集经编程超过所述第二电压。
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