武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210892203.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件及电子器件是由李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及电子器件，半导体器件包括：绝缘基板；非平坦层，非平坦层位于绝缘基板上，非平坦层包括非平坦结构，非平坦结构包括侧壁；有源图案，有源图案的至少部分位于非平坦结构的侧壁上，有源图案包括位于侧壁上的沟道；其中，非平坦结构在非平坦层的厚度方向上的尺寸与有源图案的厚度的比值小于或等于7。
本发明授权半导体器件及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 绝缘基板； 非平坦层，所述非平坦层位于所述绝缘基板上，所述非平坦层包括非平坦结构，所述非平坦结构包括侧壁； 有源图案，所述有源图案的至少部分位于所述非平坦结构的所述侧壁上，所述有源图案包括沟道，所述沟道位于所述侧壁上，所述沟道的长度小于1微米；其中，所述非平坦结构在所述非平坦层的厚度方向上的尺寸与所述有源图案的厚度的比值小于或等于4； 栅极，位于所述有源图案远离所述侧壁的一侧；以及 栅极绝缘层，位于所述栅极与所述有源图案之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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