武汉华星光电技术有限公司艾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管、阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210647923.0，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权薄膜晶体管、阵列基板及显示面板是由艾飞;宋德伟;龙时宇设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，薄膜晶体管包括：有源图案，有源图案包括沟道、源极重掺杂部以及漏极重掺杂部，沟道位于源极重掺杂部和漏极重掺杂部之间，沟道的至少部分的厚度小于漏极重掺杂部的至少部分的厚度；栅极，对应沟道设置；源极，与源极重掺杂部接触；以及漏极，与漏极重掺杂部接触。
本发明授权薄膜晶体管、阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括： 有源图案，所述有源图案包括沟道、源极重掺杂部、漏极重掺杂部、源极轻掺杂部以及漏极轻掺杂部，所述沟道位于所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部之间，所述源极轻掺杂部连接于所述源极重掺杂部与所述沟道之间，所述漏极轻掺杂部连接于所述漏极重掺杂部与所述沟道之间，所述沟道的厚度小于所述源极重掺杂部的厚度以及所述漏极重掺杂部的厚度，所述漏极轻掺杂部的厚度大于所述沟道的厚度且小于所述漏极重掺杂部的厚度； 栅极，对应所述沟道设置； 源极，与所述源极重掺杂部接触；以及 漏极，与所述漏极重掺杂部接触； 其中，所述源极重掺杂部的厚度与所述漏极重掺杂部的厚度不同，所述沟道的厚度与所述漏极重掺杂部的厚度的比值大于或等于12且小于或等于45。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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