无锡韦感半导体有限公司何政达获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种微机械泄气结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115159441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210748025.4，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种微机械泄气结构及其制备方法是由何政达;万蔡辛;赵成龙;陈骁;林谷丰;蔡春华;巩啸风;蒋樱设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微机械泄气结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微机械泄气结构及其制备方法，所述通道包括泄气孔或泄气孔和泄气阀门、连接区、泄气通道主体和气体流动通道；泄气孔设置在上结构层，正对下结构层上方可动结构层固定区域旁，泄气通道主体设置为弯折或绕折微泄气通道，一端连接气体流动通道，另一端通过连接区和泄气孔相连。制备方法：在下结构层上沉积牺牲层，光刻刻蚀形成凹槽；沉积锚区释放停止结构层，光刻刻蚀或CMP去除部分释放停止膜层；沉积上结构层，光刻刻蚀形成结构层有效区域及泄气孔或泄气孔和泄气阀门；下结构层背面光刻刻蚀，刻蚀停止在牺牲层，形成气体流动通道；释放部分牺牲层，形成泄气通道主体和连接区。本发明减少了正常声压条件下器件工作时的有效声压损失。
本发明授权一种微机械泄气结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机械泄气结构，其特征在于，所述泄气结构包括泄气孔1-1、连接区1-2、泄气通道主体2和空腔4， 所述泄气孔1-1设置在上结构层7，正对下结构层5上方的可动结构层的固定区域旁；所述可动结构层的固定区域为牺牲层锚区8； 所述连接区1-2设置在所述泄气孔1-1的正下方，用于连接泄气孔1-1和泄气通道主体2； 所述泄气通道主体2设置有若干弯折或绕折形成微泄气通道，用于连接气体流动通道3和连接区1-2。
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