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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254332.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成覆盖第一器件区的基底的栅氧化层；在基底上形成多晶硅栅极材料，覆盖栅氧化层；在配置区的多晶硅栅极材料中形成边缘凹槽；图形化多晶硅栅极材料以及刻蚀边缘凹槽下方的栅氧化层，保留位于栅极区的多晶硅栅极材料以及位于第二器件区的部分多晶硅栅极材料作为多晶硅栅极；在配置区内形成第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶面形成源漏硅化物层。边缘凹槽用于减小位于配置区上方的多晶硅栅极材料厚度，使得位于配置区的栅氧化层能够在图形化多晶硅栅极材料的步骤中被刻蚀减薄或被去除，有利于防止较厚的栅氧化层对形成第一源漏掺杂区和形成源漏硅化物层的过程产生不良影响。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区以及用于形成第二器件的第二器件区，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度，所述第一器件区包括栅极区、以及位于所述栅极区两侧的配置区； 形成覆盖所述第一器件区的基底的栅氧化层； 在所述基底上形成多晶硅栅极材料，覆盖所述栅氧化层； 在所述配置区的多晶硅栅极材料中形成边缘凹槽； 图形化所述多晶硅栅极材料、以及刻蚀所述边缘凹槽下方的栅氧化层，保留位于所述栅极区的多晶硅栅极材料、以及位于所述第二器件区的部分多晶硅栅极材料作为多晶硅栅极； 在所述多晶硅栅极两侧的所述配置区的基底内形成第一源漏掺杂区； 在所述第二器件区的多晶硅栅极两侧的基底内形成第二源漏掺杂区； 在所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶面形成源漏硅化物层； 在形成源漏硅化物层后，去除位于所述第二器件区的多晶硅栅极，形成栅极开口； 在所述栅极开口中形成金属栅极； 在所述配置区的多晶硅栅极材料中形成边缘凹槽的步骤中，在所述栅极区的多晶硅栅极材料中形成中心凹槽，所述中心凹槽的底部以及所述中心凹槽的侧壁与所述边缘凹槽的侧壁之间保留有部分的多晶硅栅极材料； 形成所述多晶硅栅极的步骤中，位于所述栅极区的多晶硅栅极包括底部栅极层以及凸出于所述底部栅极层且位于所述中心凹槽两侧的顶部栅极层。

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