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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、修复方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210724884.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、修复方法和显示面板是由钟德镇;郑会龙设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、修复方法和显示面板在说明书摘要公布了：一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、修复方法和显示面板，该制作方法包括：在衬底上形成相互间隔开的栅极和底层预留金属图案；形成栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成相互间隔开的有源层和半导体桥接图案；对该半导体桥接图案进行离子掺杂，使该半导体桥接图案由半导体转变为导体而形成为导体桥接图案；形成蚀刻阻挡层；在该蚀刻阻挡层上形成源极、漏极和数据线，其中该导体桥接图案设置在该数据线下方和像素单元的开口区内，该底层预留金属图案设置在该数据线下方，且该底层预留金属图案位于该导体桥接图案所在的区域内。本发明实施例通过将底层预留金属图案、数据线和导体桥接图案熔接在一起，可实现数据线的断线修复。

本发明授权薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、修复方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 位于该衬底上并由第一金属层通过蚀刻图案化而形成的相互间隔开的栅极和底层预留金属图案； 覆盖该栅极和该底层预留金属图案的栅极绝缘层； 位于该栅极绝缘层上并由氧化物半导体薄膜通过蚀刻图案化而形成的相互间隔开的有源层和半导体桥接图案，其中该有源层位于该栅极上方，该半导体桥接图案通过进行离子掺杂并由半导体转变为导体而形成为导体桥接图案； 位于该有源层和该导体桥接图案上的蚀刻阻挡层； 位于该蚀刻阻挡层上并由第二金属层通过蚀刻图案化而形成的源极、漏极和数据线，其中该源极与该漏极相互间隔开且均与该有源层导电连接，该源极与该数据线导电连接，该导体桥接图案设置在该数据线下方，沿该数据线方向延伸，且该导体桥接图案的两侧分别伸入相邻两个像素单元的开口区内，该导体桥接图案在与每个该底层预留金属图案相对应的位置形成有通孔，位于上方的该蚀刻阻挡层填入该通孔内，该底层预留金属图案设置在该数据线下方，且该底层预留金属图案位于该导体桥接图案所在的区域内；该底层预留金属图案与该导体桥接图案之间通过该栅极绝缘层隔开，该导体桥接图案与该数据线之间通过该蚀刻阻挡层隔开。

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