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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利一种分布反馈式激光器、光栅结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115021072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210422653.3，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种分布反馈式激光器、光栅结构及其制备方法是由刘海军;吴尚池;兰林;舒治豪;高猛;段利华;张靖;闫应星;黄晓峰;莫才平设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分布反馈式激光器、光栅结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分布反馈式激光器、光栅结构及其制备方法，包括设计并制作一光刻版，提供一衬底，并在所述衬底上生长一层光栅层形成一次外延片；基于所述光刻版并采用光刻工艺在所述光栅层上形成一光刻胶掩膜结构；利用所述光刻胶掩膜结构对所述光栅层向下刻蚀出若干第一栅槽，形成光栅结构，对所述光栅结构进行掩埋形成二次外延片，整个过程可通过精准控制外延片与光刻板之间的曝光间隙及光刻版上光刻掩膜结构图形周期的变化量来控制第二相移区域的光刻胶掩膜结构图形的变化曲线，曝光图形的重复性好，便于工业大规模量产，有利于提高生产效率、降低生产成本。

本发明授权一种分布反馈式激光器、光栅结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分布反馈式激光器的光栅结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：设计并制作一光刻版，其中，所述光刻版的底部具有一光栅掩膜结构，所述光栅掩膜结构具有若干呈间隔分布的第一相移区域和第一均匀区域，所述第一相移区域的光栅周期呈对称的线性变化，所述第一均匀区域的光栅周期恒定； S2：提供一衬底，并在所述衬底上生长一层光栅层形成一次外延片； S3：基于所述光刻版并采用光刻工艺在所述光栅层上形成一光刻胶掩膜结构； S4：利用所述光刻胶掩膜结构对所述光栅层向下刻蚀出若干第一栅槽，形成光栅结构，其中，所述光栅结构具有若干呈间隔分布且与所述光刻版的光栅掩膜结构上第一相移区域和第一均匀区域呈倍频变化第二相移区域和第二均匀区域，所述第二相移区域的光栅周期呈对称的非线性变化，所述第二均匀区域的光栅周期恒定； S5：对所述光栅结构进行掩埋形成二次外延片； 所述步骤S3的具体方法为：在所述一次外延片的上表面涂覆一层光刻胶层，设置曝光条件及曝光剂量，基于塔尔博特效应并利用所述光刻版对光刻胶层进行曝光，得到呈间隔设置的位于曝光区域的第一光刻胶柱以及位于非曝光区域的第二光刻胶柱，对曝光后的光刻胶层进行显影，去除曝光区域的第一光刻胶柱形成光刻胶掩膜结构； 所述曝光条件包括光强、曝光时间、曝光间隙以及曝光积分距离，所述光强为0.3～0.5μwcm2，曝光时间为17±1s，曝光积分距离为5±0.5μm，所述曝光间隙根据光栅结构上两个第二相移区域的间距以及曝光光源的波长和光刻版上光栅掩膜结构图形的光栅周期计算得到，所述曝光剂量为6.6～7mJcm2。

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