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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470594.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种环栅晶体管的制造方法是由李永亮;赵飞;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种环栅晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种环栅晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，以防止环栅晶体管中寄生沟道的漏电，提高环栅晶体管的导电性能。该制造方法包括：在衬底上形成含锗半导体层和第一鳍部。沿着衬底的厚度方向，第一鳍部包括至少一层叠层。含锗半导体层中锗的含量分别大于每层叠层包括的沟道层和牺牲层中锗的含量。对含锗半导体层至少进行横向减薄处理，以使含锗半导体层剩余部分的宽度窄化至第一预设宽度。第一预设宽度大于零、且小于第一鳍部的宽度。对至少经横向减薄处理后的含锗半导体层进行第一选择性氧化处理，以在衬底和第一鳍部之间形成隔离结构。在衬底暴露在隔离结构之外的部分上形成浅槽隔离。浅槽隔离的顶部高度小于等于隔离结构的顶部高度。

本发明授权一种环栅晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成含锗半导体层、以及位于所述含锗半导体层上的第一鳍部；沿着衬底的厚度方向，所述第一鳍部包括至少一层叠层；每层所述叠层包括牺牲层、以及位于所述牺牲层上的沟道层；所述含锗半导体层中锗的含量分别大于所述沟道层和所述牺牲层中锗的含量；所述含锗半导体层覆盖在所述衬底的表面； 对所述含锗半导体层至少进行横向减薄处理，以使含锗半导体层剩余部分的宽度窄化至第一预设宽度；所述第一预设宽度大于零、且小于第一鳍部的宽度； 对至少经所述横向减薄处理后的含锗半导体层进行第一选择性氧化处理，以在所述衬底和所述第一鳍部之间形成隔离结构； 在所述衬底暴露在所述隔离结构之外的部分上形成浅槽隔离；所述浅槽隔离的顶部高度小于等于所述隔离结构的顶部高度； 其中，所述对所述含锗半导体层至少进行横向减薄处理，以使含锗半导体层剩余部分的宽度窄化至第一预设宽度，包括： 形成覆盖在第一鳍部外周的保护结构； 在所述保护结构的掩膜作用下，至少对所述含锗半导体层进行图案化处理，获得第二鳍部； 对经所述图案化处理后的含锗半导体层进行所述横向减薄处理； 所述对至少经所述横向减薄处理后的含锗半导体层进行第一选择性氧化处理后，所述在所述衬底暴露在所述隔离结构之外的部分上形成浅槽隔离前，所述环栅晶体管的制造方法还包括：去除所述保护结构。

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