天津国科医工科技发展有限公司孙慈晶获国家专利权
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龙图腾网获悉天津国科医工科技发展有限公司申请的专利一种无电荷累积的碰撞反应池及质谱仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210530036.5，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种无电荷累积的碰撞反应池及质谱仪是由孙慈晶;凌星;张远清;曹祥宽;尚雪松;吴杰;贾颖;程文播设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无电荷累积的碰撞反应池及质谱仪在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无电荷累积的碰撞反应池，属于质谱分析领域，包括碰撞池主体以及两过渡端，两过渡端分别安装于碰撞池主体两端，碰撞池主体包括绝缘筒以及安装于绝缘筒的主四极杆，绝缘筒包括筒体以及位于筒体端部的导电环，筒体内侧设有导电镀层，导电镀层延伸至导电环，过渡端包括导电端盖以及导电密封圈，导电端盖与绝缘筒连接，导电密封圈位于导电端盖以及导电环之间，绝缘筒内部的电荷通过导电镀层、导电环以及导电密封圈引导至导电端盖，导电端盖能够接地将电荷导出，用过上述设计，逸出到绝缘筒内壁上的电荷引导至导电端盖导出，避免外逸离子导致电荷累积在碰撞池，提高离子传输效率。
本发明授权一种无电荷累积的碰撞反应池及质谱仪在权利要求书中公布了：1.一种无电荷累积的碰撞反应池，包括碰撞池主体以及两过渡端，两所述过渡端分别安装于所述碰撞池主体两端，所述碰撞池主体包括绝缘筒以及安装于所述绝缘筒的主四极杆，其特征在于：所述绝缘筒包括筒体以及位于所述筒体端部的导电环，所述筒体内侧设有导电镀层，所述导电镀层延伸至所述导电环，所述过渡端包括导电端盖以及导电密封圈，所述导电端盖与所述绝缘筒连接，所述导电密封圈位于所述导电端盖以及所述导电环之间，所述绝缘筒内部的电荷通过所述导电镀层、导电环以及所述导电密封圈引导至所述导电端盖，所述导电端盖能够接地将电荷导出，所述导电密封圈对所述导电端盖以及所述绝缘筒之间形成密封，所述过渡端还包括支座以及预四极杆，所述预四极杆安装于所述支座，所述支座由绝缘材料制成，所述支座设有镂空槽，所述镂空槽减少外逸离子附着于所述支座。
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