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龙图腾网获悉武汉拓材科技有限公司;武汉理工大学申请的专利一种高纯锑化镓多晶合成生产设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114908421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210637725.6，技术领域涉及：C30B28/04；该发明授权一种高纯锑化镓多晶合成生产设备是由卢鹏荐;曾小龙;张林;章嵩;涂溶;张联盟;李鹏武;袁珊珊设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯锑化镓多晶合成生产设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯锑化镓多晶合成生产设备，属于锑化镓生产技术领域，其包括底板，所述底板的上表面与支撑板的下表面固定连接，所述底板和支撑板的两侧均设有支架，所述支架的顶部设有绳盘，两个支架之间设有加热炉，所述加热炉的下表面与支撑板的上表面固定连接，所述加热炉内设有石墨坩埚。本发明中，通过设置加热炉、石墨坩埚、支撑组件、环形槽、连接轴、锥齿盘和锥齿轮，使上方锥齿轮通过连接轴和支撑组件带动石墨坩埚反向旋转，如此往复，石墨坩埚持续摆动使其内部原料受反向推力的作用充分混合，提高原料在石墨坩埚内的流动性，从而使原料受热均匀，提高混合反应效果，有利于高纯锑化镓多晶的高效、高质量的生产工作。

本发明授权一种高纯锑化镓多晶合成生产设备在权利要求书中公布了：1.一种高纯锑化镓多晶合成生产设备，包括底板1，其特征在于：所述底板1的上表面与支撑板2的下表面固定连接，所述底板1和支撑板2的两侧均设有支架3，所述支架3的顶部设有绳盘4，两个支架3之间设有加热炉5，所述加热炉5的下表面与支撑板2的上表面固定连接，所述加热炉5内设有石墨坩埚6，所述石墨坩埚6的下表面设有卡圈13，所述卡圈13的中部设有限位块14，所述限位块14的上表面与石墨坩埚6的下表面固定连接； 所述卡圈13套接在限位筒8的外壁，所述限位筒8的下表面与支撑组件7的上表面固定连接，所述支撑组件7的底部与连接轴17的顶端固定连接，所述连接轴17穿过支撑板2与调节组件18的顶端固定连接，所述调节组件18的底端通过轴套设置在底板1的上表面，所述调节组件18与锥齿盘19相互啮合，所述锥齿盘19的左侧面与驱动组件20的右端固定连接，所述驱动组件20的下表面与底板1的上表面固定连接； 所述调节组件18包括转轴181，所述转轴181的顶端与连接轴17的底端固定连接，所述转轴181的底端通过轴套与底板1的上表面卡接，所述转轴181的外壁卡接有两个锥齿轮182，两个锥齿轮182均与锥齿盘19相互啮合，所述锥齿盘19设置为被若干个齿牙覆盖三分之一的锥齿盘19。

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