力晶积成电子制造股份有限公司连健宏获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利闪存储存装置及其偏压方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114863979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110191342.6，技术领域涉及：G11C16/24；该发明授权闪存储存装置及其偏压方法是由连健宏;王志源设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存储存装置及其偏压方法在说明书摘要公布了：一种闪存储存装置，包括存储单元阵列以及电压产生电路。存储单元阵列包括至少一存储单元串。存储单元串耦接在位线及源极线之间。存储单元串包括多个存储单元，且各存储单元耦接至对应的字符线。电压产生电路耦接至存储单元阵列。电压产生电路用以输出偏压电压至字符线。在字符线当中被选定的字符线被施加第一电压。未被选定的字符线包括第二字符线及第三字符线，分别被施加第二电压及第三电压。第一电压大于第二电压，且第二电压大于第三电压。第二字符线及第三字符线分别位于第一字符线的两侧。另外，一种闪存储存装置的偏压方法亦被提出。
本发明授权闪存储存装置及其偏压方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存储存装置，包括： 一存储单元阵列，包括至少一存储单元串，耦接在一位线及一源极线之间，其中该存储单元串包括多个存储单元，且各该存储单元耦接至一对应的字符线；以及 一电压产生电路，耦接至该存储单元阵列，用以输出程序化偏压电压至该些字符线，其中在该些字符线当中被选定的一第一字符线被施加一第一电压，未被选定的字符线包括一第二字符线及一第三字符线，分别被施加一第二电压及一第三电压，且该第一电压大于该第二电压，该第二电压大于该第三电压，其中该第二字符线及该第三字符线分别位于该第一字符线的两侧； 其中该第二字符线位于该第一字符线与该源极线之间的源极侧区域，该第三字符线位于该第一字符线与该位线之间的漏极侧区域； 其中该第二字符线是该源极侧区域中最靠近该第一字符线的一未被选定的字符线，且该第二字符线被施加该第二电压，该源极侧区域中其余未被选定的字符线均被施加一第四电压，其中该第四电压小于该第二电压，且大于该第三电压。
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