武汉华星光电半导体显示技术有限公司匡友元获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210347409.5，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法是由匡友元设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法，涉及了显示技术领域，解决了采用激光打孔方式去除电致发光层时会存在膜层残留，导致接触不良的问题，方法包括提供一基板；在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；去除辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成通孔；向通孔内导入导电粒子，并在通孔的底部形成微导电层；在电子注入层上以及通孔与微导电层所构成的空间内形成阴极层，阴极层通过微导电层与辅助电极层电性连接。本申请在通孔的底部形成微导电层，阴极层与辅助电极层良好接触而导通，解决了显示面板压降仍较大问题，进而改善OLED显示面板的显示不均。
本发明授权OLED显示面板、OLED显示屏及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一已形成有像素阵列的基板； 在基板上依次形成阳极层、辅助电极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述阳极层、所述辅助电极层、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层和所述电子注入层均为异层设置； 去除所述辅助电极层所在区域上方的所有膜层，并形成通孔； 通过溅射方式或者真空蒸镀方式，向所述通孔内导入导电粒子，并在所述通孔的底部形成微导电层；所述微导电层的厚度为所述通孔的深度的110~310；所述导电粒子包括铝粒子、银粒子、镁粒子或者其中任意两者构成的合金粒子； 在所述电子注入层上以及所述通孔与所述微导电层所构成的空间内形成阴极层，所述阴极层通过微导电层与所述辅助电极层电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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