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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110071682.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由张启迪;张庆;纪登峰;崔明设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻的密集区和稀疏区；在基底上形成若干第一栅极层和若干第二栅极层以及覆盖所述第一栅极层和第二栅极层的介质层，所述介质层暴露出所述第一栅极层和第二栅极层的顶部表面，所述第一栅极层位于密集区上，所述第二栅极层位于密集区上，且相邻第一栅极层之间的间距小于相邻第二栅极层之间的间距；进行研磨处理，研磨所述第一栅极层、第二栅极层以及介质层表面，所述研磨处理包括：第一研磨工艺，所述第一研磨工艺对第一栅极层和第二栅极层的材料具有第一研磨速率，所述第一研磨工艺对介质层的材料具有第二研磨速率，且第一研磨速率大于第二研磨速率。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相邻的密集区和稀疏区； 在所述密集区上形成若干第一伪栅极层，在所述稀疏区上形成若干第二伪栅极层；在所述基底上形成覆盖所述第一伪栅极层和第二伪栅极层的初始介质层，且所述初始介质层顶部表面高于所述第一伪栅极层和第二伪栅极层的顶部表面；平坦化所述初始介质层，直至暴露出第一伪栅极层和第二伪栅极层的顶部表面，形成介质层，且稀疏区上的介质层内具有凹槽； 去除所述第一伪栅极层和第二伪栅极层，在所述介质层内形成第一栅极开口和第二栅极开口；在所述第一栅极开口内、第二栅极开口内以及介质层表面形成初始栅极材料膜；平坦化所述初始栅极材料膜，直至暴露出稀疏区和密集区上的介质层表面，在所述第一栅极开口内形成第一栅极层，在所述第二栅极开口内形成第二栅极层，以及覆盖所述第一栅极层和第二栅极层的介质层；所述介质层暴露出所述第一栅极层和第二栅极层的顶部表面，且相邻第一栅极层之间的间距小于相邻第二栅极层之间的间距； 进行研磨处理，研磨所述第一栅极层、第二栅极层以及介质层表面； 其中，所述研磨处理包括：第一研磨工艺，所述第一研磨工艺对第一栅极层和第二栅极层的材料具有第一研磨速率，所述第一研磨工艺对介质层的材料具有第二研磨速率，且第一研磨速率大于第二研磨速率；通过所述第一研磨工艺，使得所述稀疏区整体表面平坦； 所述研磨处理还包括：第二研磨工艺，研磨所述第一栅极层、第二栅极层以及介质层表面，使第一栅极层、第二栅极层以及介质层的高度降低并接近目标高度；所述第二研磨工艺对所述第一栅极层和第二栅极层的研磨速率与对所述介质层的研磨速率的比值接近； 所述第一研磨工艺使密集区上的第一栅极层和介质层、以及稀疏区上的第二栅极层的高度降低第一高度，使稀疏区上的介质层的高度降低第二高度，且所述第一高度大于所述第二高度；所述稀疏区上的介质层内所述凹槽的顶部和底部的距离为第三高度，通过控制所述第一研磨工艺的时间，使第一高度和第二高度的差值大于等于第三高度，所述第二高度为所述介质层顶表面的最低点下降的高度。

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