深圳佰维存储科技股份有限公司孙成思获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114822667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210474231.0，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备是由孙成思;孙日欣;何阳;李新春设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质即电子设备，将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行。可以看出，本发明通过将注入VDT的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行，从而能够保证电压波动发生在eMMC芯片读写的过程中，无需过多的循环测试，能够提高测试的效率。
本发明授权一种在eMMC测试中精准注入VDT的方法、存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种在eMMC测试中精准注入电压波动的方法，其特征在于，将注入电压波动的命令嵌入对eMMC芯片的读写命令的数据传输过程中执行； 具体包括步骤： 步骤S1，发送读或写数据命令给eMMC芯片，在收到读或写数据命令应答后向eMMC芯片发送或读取数据； 步骤S2，调用预先构建好的函数，给定参数以注入电压波动；给定参数具体包括电压的波动范围；所述预先构建的函数包括，调整VCC和或VCCQ至第一设定电压并保持第一设定时间，之后调整VCC和VCCQ至第二设定电压并保持第二设定时间； 注入电压波动的命令通过IIC协议发送给PMIC，由PMIC执行； 步骤S3，数据传输完成，发送停止传输命令给eMMC芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳佰维存储科技股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道1213号众冠红花岭工业南区2区4、8栋1层-3层及4栋4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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