中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司邓武锋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110099858.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邓武锋设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和源漏插塞，且所述栅极结构和源漏插塞之间具有牺牲侧墙；在所述源漏插塞上形成源漏接触孔；在所述栅极结构上形成栅极接触孔；形成所述源漏接触孔和栅极接触孔之后，去除所述牺牲侧墙，在所述栅极结构和源漏插塞之间形成空腔；在所述栅极结构和源漏插塞上形成介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的形成栅极结构和源漏插塞，所述栅极结构和源漏插塞之间具有空腔； 位于所述源漏插塞上的源漏接触孔； 位于所述栅极结构上的栅极接触孔； 位于所述栅极结构和源漏插塞上的介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部； 以及阻挡层，所述阻挡层位于所述源漏插塞顶部且覆盖所述源漏插塞上源漏接触孔的侧壁，所述阻挡层的宽度大于所述源漏插塞的宽度；所述介质层覆盖所述阻挡层； 其中，所述阻挡层是在形成所述介质层之前形成的；所述介质层覆盖所述阻挡层的侧壁及顶部；所述阻挡层是通过刻蚀第一牺牲层和部分源漏插塞并在所述第一牺牲层内形成阻挡开口后，在所述阻挡开口内填充形成的；所述第一牺牲层覆盖牺牲材料膜表面和栅极结构表面，所述牺牲材料膜覆盖所述栅极结构侧壁且与所述栅极结构表面齐平；所述源漏接触孔是通过刻蚀所述阻挡层在所述阻挡层内形成源漏接触开口，并在所述源漏接触开口内填充源漏接触材料膜后形成的；所述源漏接触孔贯穿所述阻挡层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励