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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210348679.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权阵列基板及其制作方法是由卜美兰设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的制作方法包括以下步骤：首先，采用第一道光罩制程在基板上形成遮光层以及位于遮光层背向基板一侧的源极和漏极；然后，采用第二道光罩制程在源极、漏极以及遮光层上形成层叠的半导体层、栅极绝缘层和栅极；接着，在栅极和基板上制作介电层，并采用第三道光罩制程在介电层上形成暴露出漏极的过孔；最后，采用第四道光罩制程在介电层上形成像素电极。本发明将阵列基板的源极、漏极以及遮光层采用第一道光罩制作，还将半导体层、栅极绝缘层和栅极采用第二道光罩制作，因此只需四道光罩制程即可完成阵列基板的制作，节省了光罩使用数量，简化制作工艺、降低生产成本。

本发明授权阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S101，提供基板，在所述基板上依次层叠制作遮光膜、第一金属膜和第一光刻胶膜； S102，采用第一道光罩对所述第一光刻胶膜、所述第一金属膜和所述遮光膜进行曝光；其中，所述第一道光罩包括完全透光区、部分透光区和不透光区； S103，去除对应所述完全透光区和所述部分透光区的所述第一光刻胶膜和所述第一金属膜，形成源极和漏极； S104，去除对应所述完全透光区的所述遮光膜，形成遮光层，所述遮光层的材料为非金属的遮光材料； S105，去除剩余所述第一光刻胶膜； S2，采用第二道光罩制程在所述源极、所述漏极以及所述遮光层上形成层叠的半导体层、栅极绝缘层和栅极； S3，在所述栅极和所述基板上制作介电层，并采用第三道光罩制程在所述介电层上形成暴露出所述漏极的过孔； S4，采用第四道光罩制程在所述介电层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接； 其中，所述S2包括以下步骤： S201，在所述源极、所述漏极、所述遮光层以及所述基板上制作半导体膜，所述半导体膜包括对应所述源极和所述漏极的导体化区域； S202，对所述半导体膜对应所述导体化区域的部分进行导体化，形成第一导体部和第二导体部，所述半导体膜未被导体化的部分为沟道部，所述第一导体部和所述第二导体部位于所述沟道部的两侧并分别与所述源极和所述漏极接触，所述第一导体部自所述源极背向所述基板一侧的表面延伸至所述源极靠近所述漏极的一侧的侧面并与所述遮光层接触，所述第二导体部自所述漏极背向所述基板一侧的表面延伸至所述漏极靠近所述源极的一侧的侧面并与所述遮光层接触，所述沟道部弯折地连接于所述第一导体部和所述第二导体部之间，且所述沟道部平直设置； S203，在所述半导体膜上依次层叠制作栅极绝缘膜、第二金属膜和第二光刻胶膜； S204，采用第二道光罩对所述第二光刻胶膜、所述第二金属膜、所述栅极绝缘膜和所述半导体膜进行曝光；其中，所述第二道光罩包括完全透光区和不透光区； S205，去除对应所述完全透光区的所述第二光刻胶膜、所述第二金属膜、所述栅极绝缘膜和所述半导体膜，形成所述栅极、所述栅极绝缘层和所述半导体层； S206，去除剩余所述第二光刻胶膜。

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