联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110034669.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由杨柏宇设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置，包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上，半导体阻障层设置于半导体通道层之上，其中半导体阻障层的表面包括至少一凹槽。栅极电极设置于半导体阻障层之上，其中栅极电极包括主体部及重叠凹槽的至少一垂直延伸部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基底； 半导体通道层，设置于该基底之上； 半导体阻障层，设置于该半导体通道层之上，其中该半导体阻障层的表面包括至少一凹槽； 第一层间介电层，设置于该半导体阻障层上，该第一层间介电层具有单层结构； 栅极电极，设置于该第一层间介电层之上，其中该栅极电极包括分别延伸至该第一层间介电层的主体部及至少一垂直延伸部，该至少一垂直延伸部重叠该至少一凹槽，该第一层间介电层的一部分在垂直于该半导体阻障层的顶面的方向上位于该至少一垂直延伸部的底面与该至少一凹槽之间； 栅极盖层，设置于该半导体阻障层与该栅极电极的主体部之间；以及 第二层间介电层，设置于该第一层间介电层上并直接覆盖该栅极电极和该第一层间介电层， 其中该主体部和该至少一垂直延伸部之间的该第一层间介电层的顶面与该第一层间介电层直接接触于该第二层间介电层的另一顶面齐平， 其中该至少一凹槽包括彼此分离的多个凹槽，该多个凹槽的一部分设置在该栅极电极的主体部的一侧，该凹槽的其他部分设置在该栅极电极的主体部的另一侧。
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