艾司博国际有限公司方立志获国家专利权
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龙图腾网获悉艾司博国际有限公司申请的专利带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238998.3，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法是由方立志设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法，结构包括低密度布线的基板、高密度RDL布线的Si中介层以及中密度RDL布线的有机介电层，Si中介层内嵌于基板表面，有机介电层采用扇出面板级封装于Si中介层及基板表面且与基板及Si中介层电性连接。Si中介层提供高密度RDL布线，扇出面板级封装制程的有机介电层提供中密度RDL布线，而FCBGA的基板提供低密度的布线，本发明先进封装结构同时使用这三种不同布线密度的介质，可以提供处理器、逻辑与多芯片整合在先进封装结构内，芯片从1个到6个都可以被放入封装体内，芯片数量越多，处理器的运算效率越好。
本发明授权带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：包括低密度布线的基板、高密度RDL布线的Si中介层以及中密度RDL布线的有机介电层，所述Si中介层内嵌于所述基板表面，所述有机介电层采用扇出面板级封装于所述Si中介层及所述基板表面且与所述基板及所述Si中介层电性连接； 所述低密度布线的线宽线距大于所述中密度RDL布线的线宽线距，所述中密度RDL布线的线宽线距大于所述高密度RDL布线的线宽线距； 所述低密度布线的基板上表面对应所述高密度RDL布线的Si中介层的位置形成空腔，所述Si中介层与所述空腔间的间隙填入树脂； 所述有机介电层内的中密度RDL布线设于基板及Si中介层之上，且中密度RDL布线电性导通基板上的低密度布线以及Si中介层上的高密度RDL布线。
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