烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地刘曼文获国家专利权
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龙图腾网获悉烟台新旧动能转换研究院暨烟台科技成果转移转化示范基地申请的专利一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210500630.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列是由刘曼文;李鑫卿;李正设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列，包括半导体基体，半导体基体中各探测器单元顶部嵌入有螺旋环电极和中心电极，螺旋环电极和中心电极连接构成阴极，中心电极位于螺旋环电极的正中间位置；中心电极上设有第一铝电极接触层；所述螺旋环电极上设有第二铝电极接触层；半导体基体顶部除第一铝电极接触层和第二铝电极接触层外填充有二氧化硅绝缘层；半导体基体的底部嵌入有阳极层，阳极层下方覆盖有第三铝电极接触层；隔离沟槽与二氧化硅绝缘层连接。解决了现有技术中存在的硅像素探测器电容大、像素单元之间存在信号相互干扰等问题。本发明还提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列的替换方案。
本发明授权一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列在权利要求书中公布了：1.一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列，其特征在于，包括半导体基体4，所述半导体基体4顶部嵌入有螺旋环电极9和中心电极8，中心电极8位于螺旋环电极9的正中间位置且两者不相连，中心电极8做读出电极，螺旋环电极9做漂浮电极；所述中心电极8上设有第一铝电极接触层1；所述半导体基体4顶部除第一铝电极接触层1外填充有二氧化硅绝缘层3；所述半导体基体4的底部嵌入有阳极层6，阳极层6下方覆盖有第三铝电极接触层7；隔离沟槽5位于半导体基体4中各单元之间，所述隔离沟槽5与二氧化硅绝缘层3连接；所述隔离沟槽5的厚度为1um-10um，深度为1um-290um；且所述隔离沟槽5由二氧化硅或者多晶硅制成，或所述隔离沟槽5是通过对半导体基体4进行切割形成的沟槽。
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