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龙图腾网获悉艾司博国际有限公司申请的专利嵌入式扇出型封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210239002.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权嵌入式扇出型封装结构及其制造方法是由方立志设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式扇出型封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种嵌入式扇出型封装结构及其制造方法，结构包括FCBGA基板以及内嵌扇出型封装；扇出型封装内封装有Si中介层芯片和再分配层，再分配层的表面接点形成第一金属凸体；基板包括芯层以及堆栈于芯层表面的多层增层线路板，各层增层线路板间通过镭射开孔并电镀金属进行电性连接；扇出型封装内嵌于基板时，扇出型封装表面的第一金属凸体及基板表面的电镀金属露出增层线路板表面。将中密度的布线从Si中介层芯片移出，放在扇出型封装内，扇出型封装可以设计中密度的布线，并且有较低的成本，缩小尺寸的Si中介层芯片包在扇出型封装内，扇出型封装再嵌入在FCBGA基板，可以降低成本，封装制程也相对简单，封装成本也比较低。

本发明授权嵌入式扇出型封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式扇出型封装结构，其特征在于：包括FCBGA基板以及内嵌于所述FCBGA基板的扇出型封装；所述扇出型封装内封装有电性连接的Si中介层芯片和再分配层，所述再分配层布线于所述Si中介层芯片表面，所述再分配层的表面接点形成第一金属凸体；所述FCBGA基板包括芯层以及堆栈于所述芯层表面的至少两层增层线路板，各层所述增层线路板间通过镭射开孔及孔内填充电镀金属进行电性连接； 所述扇出型封装内嵌于所述FCBGA基板时，所述扇出型封装表面的所述第一金属凸体及所述FCBGA基板表面的所述电镀金属露出所述增层线路板表面； 所述芯层的上表面及下表面分别压合有多层所述增层线路板，每层所述增层线路板包括ABF增层膜片以及形成于所述ABF增层膜片表面的电路； 所述FCBGA基板上表面的增层线路板对应所述扇出型封装形成空腔，所述扇出型封装与所述空腔间的间隙填入树脂； 扇出型封装内设计中密度布线，RDL线宽线距的能力介于30微米～1.5微米。

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