上海联影医疗科技股份有限公司安少辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海联影医疗科技股份有限公司申请的专利PET探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114699099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210327010.0，技术领域涉及：A61B6/03；该发明授权PET探测器是由安少辉;张强设计研发完成，并于2014-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本PET探测器在说明书摘要公布了：本申请提供一种PET探测器。所述PET探测器包括：晶体阵列，其包括排列成单层的多个晶体单元，所述晶体单元沿上下方向延伸，并且具有顶面、底面和位于所述顶面和底面之间的侧面；反光膜，其设置在所述多个晶体单元中的至少一个晶体单元的表面上；半导体传感器阵列，其包括多个半导体传感器，所述晶体阵列中的仅部分晶体单元与所述半导体传感器耦接，所述晶体阵列中的晶体单元的数量大于所述半导体传感器阵列中的半导体传感器的数量。通过在晶体单元上设置分光结构，相对于在晶体阵列与半导体传感器之间设置光导片，可以有效缩短光子的传输距离，进而可以避免由于光导片引起的光传输损失，从而可以提高PET探测器的分辨率。
本发明授权PET探测器在权利要求书中公布了：1.一种PET探测器，其特征在于，包括： 晶体阵列，其包括排列成单层的多个晶体单元，所述晶体单元沿上下方向延伸，并且具有顶面、底面和位于所述顶面和底面之间的侧面； 反光膜，其设置在所述多个晶体单元中的至少一个晶体单元的表面上； 半导体传感器阵列，其包括多个半导体传感器，所述晶体阵列中的仅部分晶体单元与所述半导体传感器耦接，所述晶体阵列中的晶体单元的数量大于所述半导体传感器阵列中的半导体传感器的数量； 调整各所述半导体传感器之间的相对位置、所述半导体传感器与所述晶体阵列之间的相对位置以及各所述晶体单元内出现光子的概率来满足对图像上晶体单元的分辨率的要求；或， 调整所述半导体传感器与所述晶体阵列之间的相对位置以及各所述晶体单元内出现光子的概率来满足对图像上晶体单元的分辨率的要求；或， 调整各所述半导体传感器之间的相对位置以及所述半导体传感器与所述晶体阵列之间的相对位置来满足对图像上晶体单元的分辨率的要求。
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