HOYA株式会社浅川敬司获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利掩模坯料及其制造方法、转印用掩模及其制造方法、及显示装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114624955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210185936.0，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权掩模坯料及其制造方法、转印用掩模及其制造方法、及显示装置的制造方法是由浅川敬司;田边胜;安森顺一设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料及其制造方法、转印用掩模及其制造方法、及显示装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制在将图案形成用的薄膜或具有转印图案的薄膜剥离之后透光性基板的主表面的形状劣化、且能够有助于再循环时的制造成品率的提高的掩模坯料。该掩模坯料具备透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有金属、硅及氮，薄膜的外周部的膜厚小于薄膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的上述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于薄膜的除外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
本发明授权掩模坯料及其制造方法、转印用掩模及其制造方法、及显示装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，其具备： 透光性基板、和 设置于所述透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜， 其中，所述薄膜含有金属、硅及氮， 所述薄膜的外周部的膜厚小于所述薄膜的除所述外周部以外的部分的膜厚， 所述薄膜的所述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于所述薄膜的除所述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率， 所述薄膜的所述外周部的膜厚相对于所述薄膜的除所述外周部以外的部分的膜厚的比率为0.7以下， 用所述薄膜的所述外周部的氮含量相对于硅含量的比率除以所述薄膜的除所述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率而计算出的比率为0.84以下。
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