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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111403636.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由中谷贵洋;新田哲也;西康一设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置100所具有的绝缘栅型双极晶体管区域1在沿半导体基板的第1主面的第1方向上与二极管区域2并列地配置，具有：第2导电型的基极层9，设置于半导体基板的第1主面侧的表层；第1导电型的发射极层8，选择性地设置于基极层9的第1主面侧的表层，杂质浓度比漂移层高；栅极电极7a，在第1方向上并列配置有多个，隔着栅极绝缘膜6a而面向发射极层、基极层和漂移层；反掺杂层10，设置于基极层的表层，第2导电型的杂质浓度比基极层高且第1导电型的杂质浓度比漂移层高；以及第2导电型的集电极层，设置于半导体基板的第2主面侧的表层。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体基板，其在第1主面和与所述第1主面相对的第2主面之间具有第1导电型的漂移层； 二极管区域，其具有在所述半导体基板的所述第1主面侧的表层设置的第2导电型的阳极层及在所述半导体基板的所述第2主面侧的表层设置的第1导电型的阴极层；以及 绝缘栅型双极晶体管区域，其在沿所述半导体基板的所述第1主面的第1方向上与所述二极管区域并列地配置， 该绝缘栅型双极晶体管区域具有： 第2导电型的基极层，其设置于所述半导体基板的所述第1主面侧的表层； 第1导电型的发射极层，其选择性地设置于所述基极层的所述第1主面侧的表层，杂质浓度比所述漂移层高； 栅极电极，其在所述第1方向上并列地配置有多个，隔着栅极绝缘膜而面向所述发射极层、所述基极层和所述漂移层； 反掺杂层，其设置于所述基极层的表层，第2导电型的杂质浓度比所述基极层高且第1导电型的杂质浓度比所述漂移层高，并且在从所述第1主面朝向所述第2主面的方向上厚度小于所述基极层；以及 第2导电型的集电极层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧的表层， 所述基极层在从所述第1主面朝向所述第2主面的方向上仅为一个层。

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