中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011191858.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;纪世良设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区，且所述基底上具有介质层；在所述隔离区上形成初始隔离膜；形成所述初始隔离膜之后，在所述介质层内形成栅极开口，且所述栅极开口横跨所述第一区、隔离区以及第二区；在所述栅极开口内且分别在第一区上形成初始第一功函数层以及在第二区上形成初始第二功函数层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区，且所述基底上具有介质层； 在所述隔离区上形成初始隔离膜； 形成所述初始隔离膜之后，在所述介质层内形成栅极开口，且所述栅极开口横跨所述第一区、隔离区以及第二区； 形成所述栅极开口之后，形成初始第一功函数层和初始第二功函数层之前，对所述初始隔离膜进行修饰处理，使沿垂直于所述初始隔离膜侧壁方向上，所述初始隔离膜的两侧侧壁得到减少，以减小所述初始隔离膜的尺寸； 在所述第一区表面、第二区表面、初始隔离膜暴露出的表面以及介质层表面形成初始栅介质层； 在所述栅极开口内且分别在第一区上形成初始第一功函数层以及在第二区上形成初始第二功函数层； 平坦化所述初始栅介质层、初始第一功函数层以及初始第二功函数层，直至去除位于第一区上的第二初始功函数层，使初始隔离膜形成第一隔离膜，使初始栅介质层形成栅介质层，使初始第一功函数层形成第一功函数层，使初始第二功函数层形成第二功函数层； 去除所述第一隔离膜，在所述隔离区内形成隔离开口；在所述隔离开口内形成第一隔离层，所述第一隔离层的材料为介质材料。
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