西安交通大学杨冠军获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111415349.8，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池及制备方法是由杨冠军;马昕彤;刘研;张高;李长久设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，在透明导电基体上制备NiOx空穴传输层；在NiOx空穴传输层上涂覆NH4SCN溶液，退火，形成NH4SCN中间层；在NH4SCN中间层上涂覆钙钛矿薄膜，形成钙钛矿结构吸光层，再于钙钛矿结构吸光层上制备电子传输层；在电子传输层上蒸镀电极，形成导电电极。本发明引入NH4SCN中间层，很好地修饰了空穴传输层钙钛矿结构吸光层界面，减少空穴传输层表面缺陷，抑制载流子复合，使钙钛矿太阳能电池光电性能大幅度提升，并且NH4SCN的引入也减少了NiOx表面的‑OH，极大地提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性。
本发明授权一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种以硫氰酸铵为中间层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括钙钛矿太阳能电池的NiOx空穴传输层2和钙钛矿结构吸光层4，钙钛矿太阳能电池的NiOx空穴传输层2和钙钛矿结构吸光层4之间设置有NH4SCN中间层3； 所述NiOx空穴传输层2中掺杂Li、Mg、Cu、K、Na与Cs元素中的一种或多种，掺杂元素总的质量浓度小于等于镍的质量浓度的50%。
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